M10 MBB, N-Type TopCon 108 חצאי תאים 420W-435W מסגרת שחורה מודול סולארי
ייצור חשמל גבוה במיוחד / יעילות גבוהה במיוחד
אמינות משופרת
מכסה תחתון / LETID
תאימות גבוהה
מקדם טמפרטורה אופטימלי
טמפרטורת הפעלה נמוכה יותר
השפלה אופטימלית
ביצועים יוצאי דופן בתאורה נמוכה
התנגדות PID יוצאת דופן
| תָא | מונו 182*91 מ"מ |
| מספר תאים | 108(6×18) |
| הספק מקסימלי מדורג (Pmax) | 420W-435W |
| יעילות מרבית | 21.5-22.3% |
| תיבת צומת | דיודות IP68,3 |
| מתח מערכת מקסימלי | 1000V/1500V DC |
| טמפרטורת פעולה | -40℃～+85℃ |
| מחברים | MC4 |
| מֵמַד | 1722*1134*30 מ"מ |
| מספר מיכל 20GP אחד | 396 יחידות |
| מספר מיכל 40HQ אחד | 936 יחידות |
12 שנות אחריות לחומרים ועיבוד;
30 שנות אחריות לתפוקת כוח ליניארית נוספת.
* קווי ייצור אוטומטיים מתקדמים וספקי חומרי גלם מהשורה הראשונה של המותג מבטיחים שפאנלים סולאריים אמינים יותר.
* כל סדרות הפאנלים הסולאריים עברו הסמכת איכות TUV, CE, CQC, ISO,UNI9177- Fire Class 1.
* חצי תאים מתקדמים, טכנולוגיית תאים סולריים MBB ו-PERC, יעילות גבוהה יותר של פאנל סולארי ויתרונות כלכליים.
* איכות דרגה A, מחיר נוח יותר, חיי שירות ארוכים יותר ב-30 שנה.
בשימוש נרחב במערכת PV למגורים, מערכת PV מסחרית ותעשייתית, מערכת PV בקנה מידה שימושי, מערכת אחסון אנרגיה סולארית, משאבת מים סולארית, מערכת סולארית ביתית, ניטור סולארי, פנסי רחוב סולאריים וכו '.
אנרגיה סולארית היא מקור אנרגיה מתחדש שניתן להשתמש בו לייצור חשמל באמצעות תאים פוטו-וולטאיים (PV).תאים פוטו-וולטאיים עשויים בדרך כלל מסיליקון, מוליך למחצה.הסיליקון מסומם בזיהומים כדי ליצור שני סוגים של חומרים מוליכים למחצה: סוג n וסוג p.לשני סוגי החומרים הללו תכונות חשמליות שונות, אשר הופכות אותם למתאימים לשימושים שונים בהפקת אנרגיה סולארית.
בתאי PV מסוג n, הסיליקון מסומם בזיהומים כמו זרחן, התורמים אלקטרונים עודפים לחומר.אלקטרונים אלה מסוגלים לנוע בחופשיות בתוך החומר, ויוצרים מטען שלילי.כאשר אנרגיית האור מהשמש נופלת על תא פוטו-וולטאי, היא נספגת על ידי אטומי סיליקון, ויוצרים זוגות אלקטרונים-חורים.זוגות אלו מופרדים על ידי שדה חשמלי בתוך התא הפוטו-וולטאי, שדוחף אלקטרונים לעבר השכבה מסוג n.
בתאים פוטו-וולטאיים מסוג p, הסיליקון מסומם בזיהומים כמו בורון, שמרעיבים את החומר של אלקטרונים.זה יוצר מטענים חיוביים, או חורים, המסוגלים לנוע סביב החומר.כאשר אנרגיית האור נופלת על תא PV, היא יוצרת זוגות אלקטרונים-חורים, אך הפעם השדה החשמלי דוחף את החורים לכיוון השכבה מסוג p.
ההבדל בין תאים פוטו-וולטאיים מסוג n וסוג p הוא כיצד שני סוגי נושאי המטען (אלקטרונים וחורים) זורמים בתוך התא.בתאי PV מסוג n, אלקטרונים שנוצרו בפוטו זורמים לשכבה מסוג n ונאספים על ידי מגעי מתכת בגב התא.במקום זאת, החורים שנוצרו נדחפים לעבר השכבה מסוג p וזורמים למגעי המתכת בחזית התא.ההיפך נכון לגבי תאי PV מסוג p, שבהם אלקטרונים זורמים למגעי המתכת בקדמת התא וחורים זורמים לחלק האחורי.
אחד היתרונות העיקריים של תאי PV מסוג n הוא היעילות הגבוהה יותר שלהם בהשוואה לתאים מסוג p.בשל עודף האלקטרונים בחומרים מסוג n, קל יותר ליצור זוגות אלקטרונים-חורים בעת קליטת אנרגיית האור.זה מאפשר להפיק יותר זרם בתוך הסוללה, וכתוצאה מכך הספק גבוה יותר.בנוסף, תאים פוטו-וולטאיים מסוג n נוטים פחות להתפרקות מזיהומים, וכתוצאה מכך אורך חיים ארוך יותר וייצור אנרגיה אמין יותר.
מצד שני, תאים פוטו-וולטאיים מסוג P נבחרים בדרך כלל בשל עלויות החומר הנמוכות שלהם.לדוגמה, סיליקון מסומם עם בורון הוא פחות יקר מסיליקון מסומם בזרחן.זה הופך תאים פוטו-וולטאיים מסוג p לאופציה חסכונית יותר לייצור סולארי בקנה מידה גדול הדורש כמויות גדולות של חומרים.
לסיכום, לתאים פוטו-וולטאיים מסוג n וסוג p יש תכונות חשמליות שונות, ההופכות אותם למתאימים ליישומים שונים בהפקת אנרגיה סולארית.בעוד שתאים מסוג n יעילים ואמינים יותר, תאים מסוג p הם בדרך כלל חסכוניים יותר.הבחירה בשני התאים הסולאריים הללו תלויה בצרכים הספציפיים של האפליקציה, לרבות יעילות רצויה ותקציב זמין.
